哈氏合金棒用合金法形成的合金結
在高溫下使摻雜金屬(又稱為合金質料)和半導體晶片熔成合金來建造PN結(或造成集成電路歐姆觸碰)的工藝。用合金工藝建造鍺PN結的典范工藝歷程,是將摻雜金屬(如In)置于外貌經由嚴格潔凈處分的半導體晶片上(如N型Ge),在氫氣或真空中加熱至必然溫度,并保持必然光陰。
哈氏合金棒此時,融化的金屬和半導體晶片相觸碰的那一片面質料溶入融化了的金屬中,與金屬造成合金,溫度降落后在金屬中的半導體質料便再結晶。再結晶的半導體質料中含有富厚的摻雜金屬原子,從而轉變了半導體的導電類型(P型),并與本來的N型晶片造成PN結(圖1)。
合金法造成的PN結是突變型的。在合金工藝中精確地掌握合金深度和獲得平整的PN結相對難題。